九游娱乐 - 九游中国官方体育平台

振华科技:高压领域正在开展硅基超结MOS及氮化镓HEMT研制工作|九游娱乐 - 九游中国官方体育平台
九游娱乐 - 九游中国官方体育平台
 
 

振华科技:高压领域正在开展硅基超结MOS及氮化镓HEMT研制工作

访客: 个人    日期:2025-02-15

  同花顺300033)金融研究中心02月13日讯,有投资者向振华科技000733)提问, 我国450公里太空400v高压碳化硅功率器材首次验证成功,贵司有机会使用此技术吗

  公司回答表示,您好,公司大力发展以九游(9游中国)官方网站碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体,目前公司碳化硅器件有碳化硅SBD和碳化硅MOSFET,产品覆盖600V~1700V等十余款型号。同时公司也在大力发展航天用抗辐射功率器件,低压领域采用硅基技术路线,已形成系列化产品;高压领域正在开展硅基超结MOS及氮化镓HEMT研制工作。感谢您对公司的关注,请注意投资风险。